SRAM 与 DRAM
SRAM（静态随机访问存储器）
- 使用双稳态触发器（6个晶体管）存储每一位
- 只要供电，数据不会丢失
- 速度快（访问时间约 1-10 ns）
- 价格昂贵，容量较小
- 用于：高速缓存（L1/L2/L3 Cache）、寄存器文件
DRAM（动态随机访问存储器）
- 使用电容存储每一位（1个晶体管+1个电容）
- 电容会漏电，需要周期性刷新（每 64ms）
- 速度较慢（访问时间约 50-100 ns）
- 价格便宜，容量大
- 用于：主存（内存条）
对比
| 特性 | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| 存储单元 | 6 晶体管 | 1 晶体管+1 电容 |
| 速度 | 快（1-10ns） | 慢（50-100ns） |
| 价格 | 贵 | 便宜 |
| 容量 | 小 | 大 |
| 是否需要刷新 | 否 | 是（每 64ms） |
| 用途 | 缓存 | 主存 |
相关笔记：
链接到
- 上一个知识点：无（本章第一个知识点）
- 下一个知识点：6.2 DRAM芯片与内存模块